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            雙向可控硅設計十條黃金準則

            發布時間:2022-08-26 09:44:19    瀏覽:1206

              1、為了導通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT ,直至負載電流達到≧IL 。這條件必須滿足,并按可能遇到的較低溫度考慮;

              2、要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負載電流必須《IH, 并維持足夠長的時間,使能回復至截止狀態。在可能的較高運行溫度下必須滿足上述條件;

              3、設計雙向可控硅觸發電路時,只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+);

              4、為減少雜波吸收,門極連線長度降至較低。返回線直接連至MT1(或陰極)。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H 系列低靈敏度雙向可控硅;

              5、若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題,在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題,加入一幾mH 的電感和負載串聯。另一種解決辦法,采用Hi-Com 雙向可控硅;

              6、假如雙向可控硅的VDRM 在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一: 負載上串聯電感量為幾μH 的不飽和電感,以限制dIT/dt; 用MOV 跨接于電源,并在電源側增加濾波電路;

              7、選用好的門極觸發電路,避開3+象限工況,可以較大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力;

              8、若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,負載上較好串聯一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度系數的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負載采用零電壓導通;

              9、器件固定到散熱器時,避免讓雙向可控硅受到應力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側;

              10、為了長期可靠工作,應保證Rth j-a 足夠低,維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應于可能的較高環境溫度。

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